EDZGF直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
XK系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
SZG250KV/3mA高壓直流發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
Z-VI 60kV/5mA直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
FHGF-1-200/2系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
ZDH-300/3直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
ZDH-200/2直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
Z-VI-60kV/2mA超輕型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
ZGF(S) -120/2智能型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調制技術，閉環(huán)調整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
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