SDZF系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
MZGF系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
JDZNF系列智能型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
HB-ZGF 系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
HSZ系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
GWZG-II系列智能化直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
GWZG-I系列直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
GT-ZGF數(shù)字式直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
ZGS-XⅡ型直流高壓發(fā)生器采用高頻倍壓電路，先應用最新的PWM高頻脈寬調(diào)制技術，閉環(huán)調(diào)整，采用了電壓大反饋，使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用的大功率IGBT器件及其驅動技術，并根據(jù)電磁兼容性理論，采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。使直流高壓發(fā)生器實現(xiàn)了高品質(zhì)、便攜式，并能承受額定電壓放電而不損壞。
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